长鑫科技季度业绩与存储产品进展 · 话题榜 · TwKit
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帖子讨论长鑫科技公布的季度营收与利润数据,并关注其先进工艺平台和产品进展;相关数字的单位及统计口径值得对照原始披露。
- 核实郑州附近长鑫科技季度营收、利润和同比增幅的单位与来源
- 结合公司披露材料讨论业绩增长的业务背景和持续性
- 分析存储芯片行业景气变化对公司经营的影响
@SVScholar
10月30日,中国的长鑫科技发布季度财报。 营业收入为1187亿元,同比增长613%,环比增长19%。 利润总额达990亿元,环比增长21%。 归属于上市公司股东的净利润约544亿元,环比增长约3%。
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长鑫科技 Q3业绩电话会, 第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台。目前已经推出的,主要是 245 球和 496 球封装的 LPDDR5 产品。未来我们会基于该平台逐步升级我们现有的产品线,比如 DDR5、LPDDR6 等,持续提升产品性能,丰富产品组合。 与此同时,在最近披露的 4F² 垂直沟道 DRAM 架构上,我们取得了关键突破,第六代工艺技术平台已经完成了工程样片的验证。第五代工艺平台每片晶圆产出的裸片数量,较第四代平台提升了至少 50%,在产品能效、成本控制上均具备显著优势。这主要取决于第五代工艺技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破,进一步降低功耗、提升接口速度,为 LPDDR6 未来的大规模量产和商业化应用提供了技术平台支撑。 目前,基于第六代工艺平台开发的 4F² 架构,通过更紧凑的布局显著缩小了存储单元的面积,提高单位面积存储的密度,为未来的工艺技术平台迭代打下坚实基础。 对于 4F² 的架构,业内一直存在多维度的探讨。从物理规律来看,DRAM 位密度的提升确实是一个复杂的系统工程,我们最近的一些报道也有提到,这些工程需要克服的一些问题,涉及到字线、位线和电容结构多重的空间博弈。同业公司提到的密度不仅取决于架构,还取决于电容间距的观点,反映了当前行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。
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