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@QQ_Timmy · 2026-10-09 20:47

NVIDIA 把記憶體控制器移進 HBM base die 的 NVHBM，正改變美光、三星的 base die 策略，兩家都轉向外部晶圓代工，台積電角色變重。 架構變化 - NVHBM 於 2026 年 8 月公布，把原本放在運算晶片上的記憶體控制器移到 HBM base die，base die 從單純邏輯層變成客製化核心。 - 依 NVIDIA 說法，相對標準 HBM4E：頻寬最高多 30%、HBM 功耗低 15%、XPU 運算晶粒可多釋出約 25% 面積；客製 I/O PHY 可把封裝中 I/O 面積再縮最多 67%。 - 亞馬遜 Annapurna Labs 的下一代 Trainium 4 預計採用。 美光 - HBM4：1β core die 搭配自家 base die。 - NVHBM（與 NVIDIA 共同設計）與 JEDEC 標準 HBM4E：core die 改用更先進的 1γ（約等同三星、SK 海力士 1c），base die 改委外，市場預期由台積電承接。 - COO Manish Bhatia 稱 NVHBM 有更高 ASP 與更好毛利，客製化可帶來較高投資報酬。 三星 - 以往 base die 由自家 System LSI 與晶圓代工部門供應。 - 對 NVHBM 等客製 HBM 改走雙軌：core die 仍用三星，base die 可依客戶需求選三星晶圓代工或台積電。 - 若用台積電 base die，設計與優化支援改由記憶體事業部主導，偏離過往依賴 System LSI／Foundry 的模式。 SK 海力士 - 正與 NVIDIA 密切合作客製 HBM；GTC 曾展示基於 Stream DQ 的概念，用來持續餵資料並優化記憶體與運算之間的資料流。 - HBM4 base die 已用台積電 12nm；HBM4E 與後續客製產品優先用台積電 3nm。功能愈往 base die 集中，與台積電合作預期更緊密。

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