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@QQ_Timmy · 2026-10-12 18:20

三星電子次世代「zNAND」策略 三星正擴大次世代NAND Flash「zNAND」應用範圍，針對AI基礎設施中日益增加的客製化記憶體需求，將產品細分為3種進行初期開發。 產品線： - zNAND-O：已公開模型，專為On-device AI設計。採用TSV（矽穿孔）垂直堆疊4層或8層NAND，縮短數據路徑，提升速度與電力效率（不同於傳統wire bonding）。 - zNAND-T：主打Throughput（處理量／頻寬），針對高容量、高效能AI資料中心。與zNAND-O類似以TSV垂直堆疊，業界稱為HBF（高頻寬快閃記憶體）。 - zNAND-I：主打高IOPS（每秒輸入輸出次數），適合AI推論中需頻繁處理KV Cache等低容量臨時數據的場景。 策略背景： 全球大科技公司開發多樣AI架構，客製化NAND需求增加，因此將產品線細分因應。 競爭對手： SK海力士也推出AIN系列（AIN P高IOPS、AIN D高容量、AIN B高頻寬），方向類似。 三星尚未正式發表zNAND-T與zNAND-I，目前僅為業界消息。

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