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@bboczeng · 2026-10-13 21:19

韩国网友整理了一份有关中国长鑫存储（CXMT）技术发展趋势的摘要： 1. EUV更接近一种能够降低成本的设备，而非难以逾越的技术壁垒。 2. 即使使用DUV，也可以通过对同一层进行两次或三次分割曝光，制造出精细的电路。 3. 但这种方法会增加工艺步骤，导致良率下降、成本上升。 4. 中国长鑫存储目前正是采用这种方法，仅依靠DUV生产DRAM。 5. 据估算，长鑫存储的单位比特成本比三星电子、SK海力士和美光科技高出30%以上。 6. 正常情况下，这种成本差距会导致一种“卖得越多、亏得越多”的局面。 7. 然而，今年第一季度，通用型DRAM的固定交易价格仅在一个季度内就几乎翻了一番。 8. 当价格上涨到这种程度时，即使成本高出30%，仍然可以获得相当可观的利润。 9. 长鑫存储在2023年亏损约190亿元人民币，但仅在今年第一季度便实现约248亿元人民币的净利润，成功扭亏为盈。 10. 今年7月，该公司又通过首次公开募股（IPO）筹集了约580亿元人民币。 11. 这笔资金注入所带来的成果，在上周举行的上海会议上开始显现。 12. 长鑫存储宣布，将在今年年底前推出采用4F²结构的服务器级DDR5内存模组。 13. 4F²结构可以将每个存储单元所占面积较目前主流的6F²结构缩小约三分之一。 14. 这意味着在不进一步缩小电路线宽的情况下，可以在相同面积内容纳更多数据。 15. 由于无法利用EUV制造更细的线路，长鑫存储选择了另一条道路：通过改变存储单元结构来提高密度。 16. 三星电子将4F²结构的量产目标定在2028年。 17. 如果仅从公布的时间表来看，长鑫存储领先三星电子约两年。 18. 不过，韩国半导体业界认为，长鑫存储可能只是在首款产品中局部采用这一结构，真正实现大规模量产则是另一回事。 19. 对EUV的出口管制并没有成为阻止中国发展的高墙，而更像是一种推高成本的手段；当前的存储芯片价格甚至足以覆盖由此增加的成本负担。

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