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@haotianche21370 · 2026-10-15 15:23

💐野村解读长鑫4F2 DRAM技术进展 🔔长鑫4F2 DRAM:4F2搭配VSG垂直环绕栅晶体管,单元面积压缩33%, VSG垂直晶体管理论密度提升50%,受良率、双晶圆工艺约束实际产能提升约40%; 🔔年底送样,量产推迟至2027‑2028年,与韩系大厂仍有至少三年代差;利好拓荆科技、中微公司等国产设备。 难怪大A尾盘半导体设备动了

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