我之前聊HBM，焦点大多在堆叠层数和带宽上，但SK海力士这两天推进的iHBM，把另一个维度推到了台前：散热。 传统HBM的散热是间接的，热量得穿过核心晶片往… · @Kshsb783142 · TwKit

@Kshsb783142

我之前聊HBM，焦点大多在堆叠层数和带宽上，但SK海力士这两天推进的iHBM，把另一个维度推到了台前：散热。 传统HBM的散热是间接的，热量得穿过核心晶片往外走，而散热器只能贴在封装顶部，堆叠层数一多，热量就积在中间出不来。iHBM的做法是在芯片间物理层（D2D PHY）这个热量最集中的区域，直接嵌入一个叫ICE的硅基冷却元件，等于在芯片内部开了一条直通顶部的散热通道。效果是热阻降低30%以上，高温高负载下运行更稳。 这个技术是今年5月发布的，但这两天的新进展是，SK海力士已经开始跟上游材料、零部件和设备供应商接洽，讨论实际量产计划，商业化进程从概念进入了落地阶段。 时间锚点也很清楚。iHBM计划用在HBM5上，HBM5预计2029年发布，目前正用台积电的CoWoS先进封装做验证。同时，iHBM沿用的是SK海力士已经量产的MR-MUF封装工艺，客户现有的系统级封装设计不需要大改就能导入，量产可行性和客户切换成本都比较友好。 我自己的理解是，这件事的信号不在于30%这个数字本身，而在于HBM的竞争维度正在悄悄加一条。 之前大家盯的是谁能堆得更高、带宽拉得更大，那是“性能竞赛”。但堆叠层数往上走、速率往上提，发热量是跟着涨的，散热跟不上，性能就兑现不了。iHBM等于在说，下一代HBM的胜负手，可能不只在堆了多少层，还在热量能不能及时排出去。 这跟之前写HBM4E时聊的基底芯片路线（交台积电、联合定制）不是一回事。那条线是逻辑和定制化的演进，iHBM是物理散热结构的补强，两者并行，不冲突。 对SK海力士来说，iHBM是它在HBM4之后维持身位的一张牌。但2029年才落地的技术，中间隔着HBM4和HBM4E两代产品，这期间竞争对手在散热上会不会拿出别的解法，是接下来要看的。散热这条线，从“配套问题”变成“竞争维度”，可能比很多人预想的要快。 $NVDA 免责声明：本文纯属个人观点，不构成任何投资建议。

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