美光说HBM消耗更多晶圆，所以普通内存会一直缺。” 美光确实说了：HBM、vHBM、vEIM消耗的晶圆比标准DRAM多得多。 但“一直缺”这个结论，跳过了两… · @kirkpaper · TwKit

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美光说HBM消耗更多晶圆，所以普通内存会一直缺。” 美光确实说了：HBM、vHBM、vEIM消耗的晶圆比标准DRAM多得多。 但“一直缺”这个结论，跳过了两个变量：供给端在扩产，需求端可能放缓。 三星HBM投片量从17万片增到25万片，SK海力士也在扩。如果2027年HBM供给追上，被“挤走”的普通DRAM产能就会回来。 缺货是结构性的，但不是永久的。结构性缺货的“持续时间”，取决于扩产速度和需求增速的赛跑。 2027年HBM供需缺口收窄的时候，普通DRAM的供给压力会同步缓解。那才是存储周期真正的“顶”。

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