〈Rapidus反射型光罩專利：6吋光罩下改善High-NA EUV拼接雙重曝光〉 1、原文解讀Rapidus第18件公開專利：不急於改12吋光罩，先用吸收… · @QQ_Timmy · TwKit

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〈Rapidus反射型光罩專利：6吋光罩下改善High-NA EUV拼接雙重曝光〉 1、原文解讀Rapidus第18件公開專利：不急於改12吋光罩，先用吸收膜／反射部反射率設計，讓6吋光罩也能應付High-NA EUV拼接區雙重曝光的尺寸與疊對準問題。 1）專利要旨：反射型光罩分雙重曝光區（P1）與非雙重曝光區（P2）；開口內露出的反射部中，P1側（E1）反射率刻意低於P2側（E2）。 2）示意圖顯示在P1開口加一層（層6）以壓低反射，從而緩和雙重曝光區的劑量／尺寸失控。 2、@mems6934先前指出High-NA（NA＝0.55）採4×8倍變形縮小，6吋光罩會半場、需拼接，故產業常談12吋光罩與周邊設備。 1）本專利路徑則是：在仍用6吋、仍須拼接／雙重曝光的前提下，用光罩本身的反射率差來提升尺寸控制與疊對準。 3、High-NA EUV量產前，6吋光罩與拼接仍是過渡現實；若Rapidus此類設計可行，有助在不待12吋生態齊備時先改善拼接區良率與對準餘裕。

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