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长鑫科技在第三季度业绩交流会上首次确认：第六代DRAM工艺平台建立在4F²垂直沟道架构上，工程样片验证已经完成。 DRAM的存储单元面积习惯用F²表示，F指工艺的特征尺寸。行业长期停在6F²，电容和晶体管平铺在同一个平面里。4F²的做法是把晶体管沟道竖起来，让栅极从四周包住沟道，单元面积降到原来的三分之二，同一片晶圆能切出更多芯片，短沟道效应也更好控制。 工程进展和商业进展要分开看。样片验证只说明核心性能指标在真实晶圆上达到设计预期，之后还要过客户端验证；良率、成本、量产时间，长鑫都没有披露。公司此前给出的近期目标是年底面向服务器领域推出融合4F²技术的新一代DDR5 RDIMM。服务器是DRAM验证最严苛的场景之一，这个节点能不能守住，比架构本身更能说明问题。 一个值得注意的方向是：在光刻微缩越来越贵的背景下，靠器件结构换密度，正在成为存储厂提升密度的主要路径之一。 #长鑫科技 #DRAM #4F²

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